PHD23NQ10T,118
NXP Semiconductors / Freescale
Deutsch
Artikelnummer: | PHD23NQ10T,118 |
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Hersteller / Marke: | NXP Semiconductors / Freescale |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 13A, 10V |
Verlustleistung (max) | 100W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen | 934055697118 PHD23NQ10T /T3 PHD23NQ10T /T3-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1187pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 23A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 23A (Tc) |
PHD23NQ10T,118 Einzelheiten PDF [English] | PHD23NQ10T,118 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() PHD23NQ10T,118NXP Semiconductors / Freescale |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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